EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | SOJ, SOJ24/26,.34 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 40 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 24 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ24/26,.34 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 |
自我刷新 | NO |
最大待机电流 | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.13 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
NN5117405BJ-40 | NN5117405BLJ-40 | |
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描述 | EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24 | EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | SOJ, SOJ24/26,.34 | SOJ, SOJ24/26,.34 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最长访问时间 | 40 ns | 40 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM | EDO DRAM |
内存宽度 | 4 | 4 |
端子数量 | 24 | 24 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 4MX4 | 4MX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | SOJ |
封装等效代码 | SOJ24/26,.34 | SOJ24/26,.34 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 | 2048 |
自我刷新 | NO | YES |
最大待机电流 | 0.001 A | 0.00015 A |
最大压摆率 | 0.13 mA | 0.13 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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