Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MX29LV128DBMI-90Q

文档预览

MX29LV128DBMI-90Q: 产品描述Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共72页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx

下载文档详细参数选型对比全文预览

MX29LV128DBMI-90Q概述

Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70

MX29LV128DBMI-90Q规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SSOP
包装说明	SSOP,
针数	70
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G70
长度	28.5 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	70
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	12.6 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

PRELIMINARY

MX29LV128D T/B

128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

FEATURES

GENERAL FEATURES

• 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16 switchable

• Sector Structure

- 8KB(4KW) x 8 and 64KB(32KW) x 255

• Extra 128-word sector for security

- Features factory locked and identifiable, and customer lockable

• Sector Groups Protection / Chip Unprotect

- Provides sector group protect function to prevent program or erase operation in the protected sector group

- Provides chip unprotect function to allow code changing

- Provides temporary sector group unprotect function for code changing in previously protected sector groups

• Single Power Supply Operation

- 3.0 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to 1.5xVcc

• Low Vcc write inhibit : Vcc <= VLKO

• Compatible with JEDEC standard

- Pinout and software compatible to single power supply Flash

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 90ns

- Fast program time: 11us/word (typical)

- Fast erase time: 1s/sector (typical)

• Low Power Consumption

- Low active read current: 20mA (typical) at 5MHz

- Low standby current: 5uA (typical)

• Typical 100,000 erase/program cycle

• 10 years data retention

SOFTWARE FEATURES

• Erase Suspend/ Erase Resume

- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased

• Status Reply

- Data# Polling & Toggle bits provide detection of program and erase operation completion

• Support Common Flash Interface (CFI)

HARDWARE FEATURES

• Ready/Busy# (RY/BY#) Output

- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion

• Hardware Reset (RESET#) Input

- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode

• WP#/ACC input pin

- Hardware write protect pin/Provides accelerated program capability

PACKAGE

• 48-Pin TSOP

• 56-Pin TSOP

• 70-Pin SSOP

•

All Pb-free devices are RoHS Compliant

P/N:PM1327

REV. 0.07, MAR. 20, 2008

MX29LV128D T/B

BLOCK DIAGRAM DESCRIPTION

The block diagram on Page 4 illustrates a simplified architecture of MX29LV128D T/B. Each block in the block diagram

represents one or more circuit modules in the real chip used to access, erase, program, and read the memory array.

The "CONTROL INPUT LOGIC" block receives input pins CE#, OE#, WE#, RESET#, BYTE#, and WP#/ACC. It

creates internal timing control signals according to the input pins and outputs to the "ADDRESS LATCH AND BUFFER"

to latch the external address pins A0-AM(A22). The internal addresses are output from this block to the main array and

decoders composed of "X-DECODER", "Y-DECODER", "Y-PASS GATE", AND "FLASH ARRAY". The X-DECODER

decodes the word-lines of the flash array, while the Y-DECODER decodes the bit-lines of the flash array. The bit lines

are electrically connected to the "SENSE AMPLIFIER" and "PGM DATA HV" selectively through the Y-PASS GATES.

SENSE AMPLIFIERS are used to read out the contents of the flash memory, while the "PGM DATA HV" block is used

to selectively deliver high power to bit-lines during programming. The "I/O BUFFER" controls the input and output on

the Q0-Q15/A-1 pads. During read operation, the I/O BUFFER receives data from SENSE AMPLIFIERS and drives

the output pads accordingly. In the last cycle of program command, the I/O BUFFER transmits the data on Q0-Q15/A-

1 to "PROGRAM DATA LATCH", which controls the high power drivers in "PGM DATA HV" to selectively program the

bits in a word or byte according to the user input pattern.

The "PROGRAM/ERASE HIGH VOLTAGE" block comprises the circuits to generate and deliver the necessary high

voltage to the X-DECODER, FLASH ARRAY, and "PGM DATA HV" blocks. The logic control module comprises of the

"WRITE STATE MACHINE, WSM", "STATE REGISTER", "COMMAND DATA DECODER", and "COMMAND DATA

LATCH". When the user issues a command by toggling WE#, the command on Q0-A15/A-1 is latched in the COM-

MAND DATA LATCH and is decoded by the COMMAND DATA DECODER. The STATE REGISTER receives the

command and records the current state of the device. The WSM implements the internal algorithms for program or

erase according to the current command state by controlling each block in the block diagram.

ARRAY ARCHITECTURE

The main flash memory array can be organized as 16M Bytes x 8 or as 8M Words x 16. The details of the address

ranges and the corresponding sector addresses are shown in Table 1. Table 1.a shows the sector group architecture for

the Top Boot part, whereas Table 1.b shows the sector group architecture for the Bottom Boot part. The specific

security sector addresses are shown at the bottom off each of these tables.

P/N:PM1327

REV. 0.07, MAR. 20, 2008

MX29LV128DBMI-90Q相似产品对比

	MX29LV128DBMI-90Q	MX29LV128DBMC-90Q	MX29LV128DTMI-90Q
描述	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70
零件包装代码	SSOP	SSOP	SSOP
包装说明	SSOP,	SSOP,	SSOP,
针数	70	70	70
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns
备用内存宽度	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G70	R-PDSO-G70	R-PDSO-G70
长度	28.5 mm	28.5 mm	28.5 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	70	70	70
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SSOP	SSOP	SSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.6 mm	12.6 mm	12.6 mm
Base Number Matches	1	1	-

推荐资源

C-2D型无源无损缓冲电路应用于DC／AC半桥变换器中的电路

发现GD32F350的串口接收数据的字节最高位无效问题: 本帖最后由物联创客于 2018-9-29 13:44 编辑发现GD32F350的串口接收数据的字节最高位无效问题, 就是让串口接收一个字节,发现串口打印出这个接收到的数据现象如下: 给单片机串口发送:0x01 ......; 物联创客 GD32 MCU

十万火急！请教USB端口写数据~: 各位前辈大侠，我现在用一个USB接口的打印机，连接在Wince的PDA上，想直接发送打印数据到打印机。我在网上找了好几天资料都说要找到打印机设备的路径或者是名称，用CreateFile创建句柄， ......; staraa 嵌入式系统

有关protoms: 麻烦问一下，有人知道protoms的吗？在百度和google都搜不到，那是一种模拟电路的软件，也可能是我把名字记错了，哪位高手指点一下。。。。...; candyhuliang 嵌入式系统

欢迎参加：nRF24AP2超低功耗无线网络应用及设计专题研讨会通知: 迅通科技拟于近期在深圳举办2.4GHz超低功耗无线网络应用及设计专题研讨会，介绍ANT无线网络基础，nRF24AP2系列无线芯片原理，以及设计无线传感网实战，包括硬件设计，及组网应用。内容丰富，贴 ......; nrf500 无线连接

大家好啊。我现在到吉林了，可是想问: 大家好啊。我现在以经到吉林了。可是现在不知道要怎么去做我的业务，谁能给我指指路，要怎么去跑啊。...; tianweiming9527 嵌入式系统

请教STM32的定时器DMA问题: 1.定时器的DMA是否不能和中断同时用?比如设置TIM3的CC1作DMA传送,则CC1就无法产生中断.2.STM32中有DMA专用的寄存器TIMx_DMAR,通过它读取与通过直接读取各寄存器有何不同?3.DMA中的DMA_CNDT ......; yeca3000 stm32/stm8

STM32学习笔记之中断应用概览--以f103为例

　　异常类型　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统，支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]
人机交互的方式有哪些？

人机交互的方式有多种多样，以下列举出比较常见的方式：鼠标交互：通过鼠标来操作电脑和进行交互，这是早期最为普遍的一种人机交互方式。触摸式交互：随着智能设备的发展，通过手指在触摸屏上进行操作，也成为了一种非常便捷的人机交互方式。语音识别交互：通过语音识别技术来进行人机交互，用户可以通过语音输入指令来实现一些操作，如搜索、查询、控制等。动作识别交互：利用摄像头、传感器等设备捕捉用户的动作和手势...[详细]
基于单片机的FLAC高保真数字音频播放器设计

一、项目概述 1.1 引言目前，大部分的音乐文件都是以mp3格式来保存的，mp3是一种有损的音频压缩格式，它无法完美地再现原版音乐。随着存储器容量的扩大、网络带宽的增加、处理器性能的增强以及人们对生活品质要求的提高，无损音乐越来越受到人们的青睐，对无损音乐播放器的需求也就越来越大。 1.2 项目背景/选题动机我们希望能在 AVR 单片机上实现一个“FLAC高保真音频播放器”。播放器用...[详细]
从两个层面来说电动汽车为什么不适合跑长途

纯电动汽车跑长途是否是个伪命题？至少就我个人的观点来看，至少就目前的技术水准以及基建水平来看，我认为是的。以下我会从两个大的层面来和大家聊聊，为什么纯电动汽车不适合跑长途。开着纯电动汽车跑长途，你需要对你的路程做出一个十分精准的规划，到哪里需要进行充电、需要预留多少的安全电量、具体路线的选择等等。除此以外，当你花了非常多的心思，对自己的旅程做出安排之后，实际路途中如果遇上一次充电桩的损坏、...[详细]
自备智能手机，实现门禁控制和电脑桌面登录

主题：自备终端(BYOD)发展趋势;用员工自己的移动设备来控制对工作设施及设备的使用，会对信息安全产生怎样的影响;在不使公司有安全风险或不损害员工隐私的前提下，有哪些方式能安全地实现这样的设施及设备使用。自备终端(Bring Your Own Device，简称BYOD)，即企业允许员工离职时保留自己的手机，这种做法正日益流行。如今智能手机功能也越来越多，我们不仅能用自己的手机访问电脑、网...[详细]
塔克热系统在中国光博会隆重推出高性能光电应用中的最新主动制冷技术

能够为人工智能算力、智能感测和自动驾驶系统提供精确、高效的热管理 2025年8月25日，中国深圳 – 先进热管理领域的全球头部厂商塔克热系统（Tark Thermal Solutions）（前身为莱尔德热系统，Laird Thermal Systems）将于9月10 - 12日在深圳国际会展中心举行的第二十六届中国国际光电博览会（中国光博会，CIOE 2025...[详细]
基于多线程扫描的网络拓扑边界监测系统设计

　　随着国家电子政务网络规模和业务应用的不断深化，通过网络传输的数据和业务变得越来越敏感和重要。为了保障业务数据在网络传输交换过程中不被非法获取与篡改，相应的网络信息安全防护措施已在不同层面进行了部署。然而，大多数的业务专网对于网络的访问控制几乎都集中在网络的出入关口，而对网络内部结构和接入边界却没有施行必要的监测与管理。这种只注重网关出入防护的安全策略虽然配置了大量的防火墙、多重安全网关和网闸...[详细]
汽车电子的关键是什么

车辆采用的电子系统IC复杂性逐渐提高，希望借由执行人工智能（AI）算法控制自驾功能，同时也需满足《道路车辆功能安全ISO 26262》标准（以下简称《ISO 26262》）要求。因此，IC设计公司也正快速采用完整性的测试解决方案，以便达到相关标准要求。确保车辆电子能稳定的作法之一就是在功能运转期间执行定期测试，也就是在逻辑与存储器利用内建自我测试（Built-in Self Test;BI...[详细]
导航可不可以辅助自动驾驶

通常，我们通过观察和简单的GPS工具根据周围事物的对比来确定我们的位置及想要去的地方，但是对于无人驾驶的汽车来说，这种推理是非常困难的，汽车要先绘制和分析所在的新道路，后进行动态等复杂项目的处理，这是非常困难耗时间的。麻省理工学院的研究人员在机器人与自动化国际会议上发表研究成果，他们创建了卷积神经网络（CNN）的机器学习系统，该系统仅使用简单的地图和摄影机的影像数据，使无人驾驶汽车能够在新...[详细]
电动汽车在雨天打雷时可以给汽车进行充电吗

电动汽车由电能来进行驱动，而充电时作为车辆补充能量来源的装置，开车再外需要对于车辆进行补充电量时常见的事情，而在雨天打雷的时候，可以给汽车充电吗？对于电动汽车来说在雷雨天气下是可以对于车辆进行充电的。说到这里我们从电动汽车充电安全上面来说起，车辆充电需要经过充电桩，通过充电桩输出电压和电流，进入到车辆电池内部，从充电桩到车辆的充电口，通过导线相连，而充电枪是直接插入到车辆的充电口当中，根据...[详细]
超时事件时间戳

基于STM32F103 步骤： 1、定时器的1ms初始化 1 //1ms TIMER IRQ 2 void Drv_timeout_Init(void) 3 { 4 TIM_TimeBaseInitTypeDef TIM_TimeBaseStructure; 5 NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; 6 RCC_APB1Per...[详细]
小封装FPGA在工业领域的大作为

作为莱迪思半导体(Lattice Semiconductor)在亚太地区举办的重要技术交流活动，莱迪思亚太技术峰会(Lattice APAC Tech Summit)一直是公司展示低功耗FPGA技术、推动行业合作与创新的绝佳舞台。在今年的东京技术峰会上，包括三菱电机、德赛、Furukawa AS、Glory LTD、LIPS和恩智浦等在内的150余家客户和合作伙伴齐聚一堂，围绕莱迪思低...[详细]
即插即用！用USB AI降噪麦克风模组轻松搞定专业的降噪和高性能音频输入输出方案

随着在线会议、直播和游戏语音交流的普及，高质量的音频输入设备变得越来越重要。为此，边缘AI和智能音频专家XMOS携手其全球首家增值分销商飞腾云科技，利用其集边缘AI、DSP、MCU和灵活I/O于一颗芯片的xcore处理器，推出一款专为语音收集和处理设计的USB AI降噪麦克风模组——A316-Codec-V1。这是一款基于XMOS XU316芯片和Codec芯片的专业音频处理模组，专为麦克风输...[详细]
中国研究人员取得电池突破或将改变电动汽车的性能和续航里程

锂电池是电动汽车的关键部件，其高能量密度使其能够在相对紧凑、轻巧的封装中存储大量能量。这对于实现单次充电后的长续航里程至关重要。图片来源：《Nature》期刊据外媒报道，中国研究人员宣布在锂电池技术上取得重大突破，使特斯拉最先进电池的能量密度（电池相对于其尺寸和重量所能存储的能量）翻了一番。目前，特斯拉最好的电池能量密度约为每公斤300瓦时，而天津大学研究人员研发的电池能量...[详细]
人工智能功耗问题：挑战、权衡与优化路径

编译自semiengineering 业界越来越关注人工智能的功耗问题，但这个问题并没有简单的解决方案。这需要深入了解应用、半导体和系统层面的软件和硬件架构，以及所有这些的设计和实现方式。每个环节都会影响总功耗和提供的效用。这是最终必须做出的权衡。但首先，必须解决效用问题。电力是否被浪费了？“我们将电力用于有价值的用途，”Ansys（现为新思科技旗下公司）产品营销总监 Marc Swi...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多