Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MX29LV128DBMC-90Q

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MX29LV128DBMC-90Q: 产品描述Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共72页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx

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MX29LV128DBMC-90Q概述

Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70

MX29LV128DBMC-90Q规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SSOP
包装说明	SSOP,
针数	70
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G70
长度	28.5 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	70
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	12.6 mm
Base Number Matches	1

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PRELIMINARY

MX29LV128D T/B

128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

FEATURES

GENERAL FEATURES

• 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16 switchable

• Sector Structure

- 8KB(4KW) x 8 and 64KB(32KW) x 255

• Extra 128-word sector for security

- Features factory locked and identifiable, and customer lockable

• Sector Groups Protection / Chip Unprotect

- Provides sector group protect function to prevent program or erase operation in the protected sector group

- Provides chip unprotect function to allow code changing

- Provides temporary sector group unprotect function for code changing in previously protected sector groups

• Single Power Supply Operation

- 3.0 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to 1.5xVcc

• Low Vcc write inhibit : Vcc <= VLKO

• Compatible with JEDEC standard

- Pinout and software compatible to single power supply Flash

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 90ns

- Fast program time: 11us/word (typical)

- Fast erase time: 1s/sector (typical)

• Low Power Consumption

- Low active read current: 20mA (typical) at 5MHz

- Low standby current: 5uA (typical)

• Typical 100,000 erase/program cycle

• 10 years data retention

SOFTWARE FEATURES

• Erase Suspend/ Erase Resume

- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased

• Status Reply

- Data# Polling & Toggle bits provide detection of program and erase operation completion

• Support Common Flash Interface (CFI)

HARDWARE FEATURES

• Ready/Busy# (RY/BY#) Output

- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion

• Hardware Reset (RESET#) Input

- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode

• WP#/ACC input pin

- Hardware write protect pin/Provides accelerated program capability

PACKAGE

• 48-Pin TSOP

• 56-Pin TSOP

• 70-Pin SSOP

•

All Pb-free devices are RoHS Compliant

P/N:PM1327

REV. 0.07, MAR. 20, 2008

MX29LV128D T/B

BLOCK DIAGRAM DESCRIPTION

The block diagram on Page 4 illustrates a simplified architecture of MX29LV128D T/B. Each block in the block diagram

represents one or more circuit modules in the real chip used to access, erase, program, and read the memory array.

The "CONTROL INPUT LOGIC" block receives input pins CE#, OE#, WE#, RESET#, BYTE#, and WP#/ACC. It

creates internal timing control signals according to the input pins and outputs to the "ADDRESS LATCH AND BUFFER"

to latch the external address pins A0-AM(A22). The internal addresses are output from this block to the main array and

decoders composed of "X-DECODER", "Y-DECODER", "Y-PASS GATE", AND "FLASH ARRAY". The X-DECODER

decodes the word-lines of the flash array, while the Y-DECODER decodes the bit-lines of the flash array. The bit lines

are electrically connected to the "SENSE AMPLIFIER" and "PGM DATA HV" selectively through the Y-PASS GATES.

SENSE AMPLIFIERS are used to read out the contents of the flash memory, while the "PGM DATA HV" block is used

to selectively deliver high power to bit-lines during programming. The "I/O BUFFER" controls the input and output on

the Q0-Q15/A-1 pads. During read operation, the I/O BUFFER receives data from SENSE AMPLIFIERS and drives

the output pads accordingly. In the last cycle of program command, the I/O BUFFER transmits the data on Q0-Q15/A-

1 to "PROGRAM DATA LATCH", which controls the high power drivers in "PGM DATA HV" to selectively program the

bits in a word or byte according to the user input pattern.

The "PROGRAM/ERASE HIGH VOLTAGE" block comprises the circuits to generate and deliver the necessary high

voltage to the X-DECODER, FLASH ARRAY, and "PGM DATA HV" blocks. The logic control module comprises of the

"WRITE STATE MACHINE, WSM", "STATE REGISTER", "COMMAND DATA DECODER", and "COMMAND DATA

LATCH". When the user issues a command by toggling WE#, the command on Q0-A15/A-1 is latched in the COM-

MAND DATA LATCH and is decoded by the COMMAND DATA DECODER. The STATE REGISTER receives the

command and records the current state of the device. The WSM implements the internal algorithms for program or

erase according to the current command state by controlling each block in the block diagram.

ARRAY ARCHITECTURE

The main flash memory array can be organized as 16M Bytes x 8 or as 8M Words x 16. The details of the address

ranges and the corresponding sector addresses are shown in Table 1. Table 1.a shows the sector group architecture for

the Top Boot part, whereas Table 1.b shows the sector group architecture for the Bottom Boot part. The specific

security sector addresses are shown at the bottom off each of these tables.

P/N:PM1327

REV. 0.07, MAR. 20, 2008

MX29LV128DBMC-90Q相似产品对比

	MX29LV128DBMC-90Q	MX29LV128DBMI-90Q	MX29LV128DTMI-90Q
描述	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70	Flash, 8MX16, 90ns, PDSO70, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-70
零件包装代码	SSOP	SSOP	SSOP
包装说明	SSOP,	SSOP,	SSOP,
针数	70	70	70
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns
备用内存宽度	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G70	R-PDSO-G70	R-PDSO-G70
长度	28.5 mm	28.5 mm	28.5 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	70	70	70
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SSOP	SSOP	SSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.6 mm	12.6 mm	12.6 mm
Base Number Matches	1	1	-

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