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RN2713JE(TPL3)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小255KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2713JE(TPL3)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR

RN2713JE(TPL3)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)120
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2712JE,RN2713JE
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2712JE, RN2713JE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact
equipment and lowers assembly cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Unit : mm
Equivalent Circuit
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 (C2)
5.COLLECTOR1 (C1)
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.003g(typ.)
2-2P1D
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Total rating
Equivalent Circuit
(top view)
5
Q1
4
Q2
1
2
3
1
2007-11-01

RN2713JE(TPL3)相似产品对比

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描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN2712JE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN2713JE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 - 符合 - 符合
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A - 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 120 - 120 - 120
元件数量 2 - 2 - 2
极性/信道类型 PNP - PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W - 0.1 W - 0.1 W
表面贴装 YES - YES - YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON - SILICON
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