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IPP80N04S2H4AKSA1

产品描述MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小188KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPP80N04S2H4AKSA1概述

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

IPP80N04S2H4AKSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)660 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.004 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IPP80N04S2H4AKSA1相似产品对比

IPP80N04S2H4AKSA1 IPI80N04S2H4AKSA1 IPB80N04S2H4ATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 MOSFET N-CHANNEL_30/40V MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
其他特性 AVALANCHE RATED - AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 660 mJ - 660 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V - 40 V
最大漏极电流 (ID) 80 A - 80 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω - 0.0037 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A - 320 A
表面贴装 NO - YES
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

 
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