MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 660 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IPB80N04S2H4ATMA1 | IPI80N04S2H4AKSA1 | IPP80N04S2H4AKSA1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N | N |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | - | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 660 mJ | - | 660 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V | - | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | - | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω | - | 0.004 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | - | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | - | 320 A |
| 表面贴装 | YES | - | NO |
| 端子形式 | GULL WING | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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