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FDC6306P

产品描述MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDC6306P概述

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

FDC6306P规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码419BL
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID5356
Samacsys Pin Count6
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategorySOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint NameSSOT 6L
Samacsys Released Date2015-04-16 09:48:08
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.9 A
最大漏极电流 (ID)1.9 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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