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GS8330LW36C-200I: 产品描述36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM; 产品类别存储存储; 文件大小585KB，共30页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8330LW36C-200I概述

36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM

GS8330LW36C-200I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	209
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	2.25 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B209
长度	22 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	LATE-WRITE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	209
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

GS8330LW36C-200I相似产品对比

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描述	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM	36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	-	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	-	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	209	-	209	209	209	209	209
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant	compli	compli	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	-	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	2.25 ns	-	2.25 ns	2.1 ns	2.1 ns	2.1 ns	2.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B209	-	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209
长度	22 mm	-	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	37748736 bit	-	37748736 bit	37748736 bi	37748736 bi	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	LATE-WRITE SRAM	-	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM
内存宽度	36	-	36	36	36	72	72
湿度敏感等级	3	-	3	3	3	3	3
功能数量	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	209	-	209	209	209	209	209
字数	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	524288 words
字数代码	1000000	-	1000000	1000000	1000000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX36	-	1MX36	1MX36	1MX36	512KX72	512KX72
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	-	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	-	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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