36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA, |
针数 | 209 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 2.1 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 37748736 bit |
内存集成电路类型 | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度 | 72 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 209 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX72 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm |
GS8330LW72C-250I | GS8330LW36C | GS8330LW36C-200 | GS8330LW36C-250I | GS8330LW36C-250 | GS8330LW72C-250 | GS8330LW36C-200I | |
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描述 | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology | - | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA | - | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | BGA, | - | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, |
针数 | 209 | - | 209 | 209 | 209 | 209 | 209 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compli | compli | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | - | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 2.1 ns | - | 2.25 ns | 2.1 ns | 2.1 ns | 2.1 ns | 2.25 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | - | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 | - | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 |
长度 | 22 mm | - | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | 37748736 bit | - | 37748736 bit | 37748736 bi | 37748736 bi | 37748736 bit | 37748736 bit |
内存集成电路类型 | LATE-WRITE SRAM | - | LATE-WRITE SRAM | LATE-WRITE SRAM | LATE-WRITE SRAM | LATE-WRITE SRAM | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度 | 72 | - | 36 | 36 | 36 | 72 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 | - | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 209 | - | 209 | 209 | 209 | 209 | 209 |
字数 | 524288 words | - | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 524288 words | 1048576 words |
字数代码 | 512000 | - | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 512000 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 512KX72 | - | 1MX36 | 1MX36 | 1MX36 | 512KX72 | 1MX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | - | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | - | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | - | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | - | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm | - | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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