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GS8330LW36C-200

产品描述36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM
产品类别存储    存储   
文件大小585KB,共30页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8330LW36C-200概述

36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM

GS8330LW36C-200规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数209
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间2.25 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B209
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量209
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

GS8330LW36C-200相似产品对比

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描述 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology - GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA - BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, - BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 209 - 209 209 209 209 209
Reach Compliance Code compliant - compli compli compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B - 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 2.25 ns - 2.1 ns 2.1 ns 2.1 ns 2.1 ns 2.25 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE - PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B209 - R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209
长度 22 mm - 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 37748736 bit - 37748736 bi 37748736 bi 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 LATE-WRITE SRAM - LATE-WRITE SRAM LATE-WRITE SRAM LATE-WRITE SRAM LATE-WRITE SRAM LATE-WRITE SRAM
内存宽度 36 - 36 36 72 72 36
湿度敏感等级 3 - 3 3 3 3 3
功能数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 209 - 209 209 209 209 209
字数 1048576 words - 1048576 words 1048576 words 524288 words 524288 words 1048576 words
字数代码 1000000 - 1000000 1000000 512000 512000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1MX36 - 1MX36 1MX36 512KX72 512KX72 1MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA - BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V - 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - YES YES YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL - BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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