BYZ50K22: 产品描述10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小67KB，共2页; 制造商DIOTEC; 官网地址http://www.diotec.com/; 标准

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BYZ50K22概述

10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

BYZ50K22规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1
针数	1
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	24.2 V
最小击穿电压	19.8 V
击穿电压标称值	22.5 V
最大钳位电压	35 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-MUPF-P1
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	16 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	PIN/PEG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47

Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes

Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden

Version 2006-04-27

12.75

±0.1

Nominal Current

Nennstrom

Nominal breakdown voltage

Nominale Abbruchspannung

Rändel 0.8

knurl 0.8

50 A

22 ... 47 V

28.5

min

1.3

Metal press-fit case with plastic cover

Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung

Weight approx.

Gewicht ca.

Compound has classification UL94V-0

Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

10 g

±01

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Type / Typ

Wire to / Draht an

Anode

BYZ50A22

BYZ50A27

BYZ50A33

BYZ50A39

BYZ50A47

Cathode

BYZ50K22

BYZ50K27

BYZ50K33

BYZ50K39

BYZ50K47

Breakdown voltage

Abbruchspannung

= 100 mA

BRmin

[V]

19.8

24.3

29.7

35.1

42.3

BRmax

[V]

24.2

29.7

36.3

42.9

51.7

Reverse voltage

perrspannung

= 5 µA

[V]

> 17.8

> 21.8

> 26.8

> 31.6

> 38.1

= 150°C

f > 15 Hz

= 25°C

FAV

FRM

FSM

jmax

±0.2

10.7

±0.2

Grenzwerte

Max. clamping voltage

Max. Begrenzerspanng.

at / bei I

, t

= 1 ms

[V]

31.9

39.1

47.7

56.4

67.8

[A]

235

192

157

133

111

50 A

80 A

)

400/450 A

800 A

-50...+215°C

+280°C

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Max. junction temperature in case of “Load-Dump“

Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“

Max. case temperature T

= 150°C – Max. Gehäusetemperatur T

= 150°C

http://www.diotec.com/

BYZ50K22相似产品对比

	BYZ50K22	BYZ50A22	BYZ50A47	BYZ50A22_07	BYZ50K47
描述	10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE	10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE	10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE	10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE	10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1	-	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1
针数	1	1	1	-	1
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	-	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
最大击穿电压	24.2 V	24.2 V	51.7 V	-	51.7 V
最小击穿电压	19.8 V	19.8 V	42.3 V	-	42.3 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	-	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-MUPF-P1	O-MUPF-P1	O-MUPF-P1	-	O-MUPF-P1
湿度敏感等级	1	1	1	-	1
元件数量	1	1	1	-	1
端子数量	1	1	1	-	1
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	-	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	-	ROUND
封装形式	PRESS FIT	PRESS FIT	PRESS FIT	-	PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	260
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	-	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	-	NO
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	-	AVALANCHE
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	-	PIN/PEG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	-	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1	1	-	1

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