BYZ50A22: 产品描述10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小67KB，共2页; 制造商DIOTEC; 官网地址http://www.diotec.com/; 标准

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BYZ50A22概述

10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

BYZ50A22规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1
针数	1
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	24.2 V
最小击穿电压	19.8 V
击穿电压标称值	22.5 V
最大钳位电压	35 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-MUPF-P1
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	16 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	PIN/PEG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47

Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes

Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden

Version 2006-04-27

12.75

±0.1

Nominal Current

Nennstrom

Nominal breakdown voltage

Nominale Abbruchspannung

Rändel 0.8

knurl 0.8

50 A

22 ... 47 V

28.5

min

1.3

Metal press-fit case with plastic cover

Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung

Weight approx.

Gewicht ca.

Compound has classification UL94V-0

Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

10 g

±01

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Type / Typ

Wire to / Draht an

Anode

BYZ50A22

BYZ50A27

BYZ50A33

BYZ50A39

BYZ50A47

Cathode

BYZ50K22

BYZ50K27

BYZ50K33

BYZ50K39

BYZ50K47

Breakdown voltage

Abbruchspannung

= 100 mA

BRmin

[V]

19.8

24.3

29.7

35.1

42.3

BRmax

[V]

24.2

29.7

36.3

42.9

51.7

Reverse voltage

perrspannung

= 5 µA

[V]

> 17.8

> 21.8

> 26.8

> 31.6

> 38.1

= 150°C

f > 15 Hz

= 25°C

FAV

FRM

FSM

jmax

±0.2

10.7

±0.2

Grenzwerte

Max. clamping voltage

Max. Begrenzerspanng.

at / bei I

, t

= 1 ms

[V]

31.9

39.1

47.7

56.4

67.8

[A]

235

192

157

133

111

50 A

80 A

)

400/450 A

800 A

-50...+215°C

+280°C

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Max. junction temperature in case of “Load-Dump“

Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“

Max. case temperature T

= 150°C – Max. Gehäusetemperatur T