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VQ100

eeworld网站中关于VQ100有60个元器件。有VQ100、VQ1000等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
VQ100 Microsemi Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology 下载
VQ1000 Calogic Power Field-Effect Transistor, 60V, 7.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
VQ1000CP Exar Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000CP Calogic Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, DIP-4 下载
VQ1000CP SIPEX Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000CY Exar Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000CY SIPEX Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000CY Calogic Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000CYT1 Calogic Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
VQ1000CYT2 Calogic Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
VQ1000J Vishay(威世) MOSFET QD 60V 0.225A 下载
VQ1000J Exar Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000J Calogic Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIDE BRAZED, DIP-14 下载
VQ1000J TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology) Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000J TEMIC Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000J SIPEX Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000J-1 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
VQ1000J-2 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
VQ1000N6 Supertex Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, DIP-14 下载
VQ1000N7 Supertex Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DIP-14 下载
VQ1000P TEMIC Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000P Atmel (Microchip) Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000P Vishay(威世) —— 下载
VQ1000P-1 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000P-2 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1000P-E3 Vishay(威世) MOSFET N-CH 60V 0.225A 下载
VQ1001J Vishay(威世) MOSFET QD 30V 0.83A 下载
VQ1001J TEMIC Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1001J-1 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
VQ1001J-2 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
关于VQ100相关文档资料:
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VQ1004J-1 、 VQ1004J-2 、 VQ1004P-1 、 VQ1006J-1 、 VQ1006J-2 、 VQ1006P-1 下载文档
VQ1000J-1 、 VQ1000J-2 、 VQ1000P-1 、 VQ1000P-2 下载文档
VQ1004J-1 、 VQ1004J-2 、 VQ1004P-1 、 VQ1004P-2 下载文档
VQ1000CP 、 VQ1000CY 、 VQ1000J 下载文档
VQ1000CP 、 VQ1000CY 、 VQ1000J 下载文档
VQ1006P 、 VQ1006P-2 、 VQ1006P-E3 下载文档
VQ1001J 、 VQ1001P 、 VQ1001P-2 下载文档
VQ1001J-1 、 VQ1001J-2 、 VQ1001P-1 下载文档
VQ1004P-2 、 VQ1004P-E3 下载文档
VQ1004J 、 VQ1004P 下载文档
VQ100资料比对:
型号 VQ1004J-1 VQ1004J-2 VQ1004P-1 VQ1006J-1 VQ1006J-2 VQ1006P-1
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T14 IN-LINE, R-PDIP-T14 IN-LINE, R-PDIP-T14 IN-LINE, R-PDIP-T14 IN-LINE, R-PDIP-T14 IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 90 V 90 V 90 V
最大漏极电流 (ID) 0.46 A 0.46 A 0.46 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14
元件数量 4 4 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14 14 14
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
最大开启时间(吨) 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
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器件入口   06 2Q 4S 78 AC B6 BZ CB FN JO MV QR XC YD YN

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

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