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VQ1000J: 产品描述MOSFET QD 60V 0.225A; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小60KB，共6页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
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MOSFET QD 60V 0.225A

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	FAST SWITCHING
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.225 A
最大漏极电流 (ID)	0.025 A
最大漏源导通电阻	5.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1 A
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	10 ns
最大开启时间（吨）	10 ns

	VQ1000J	VQ1000P	2N7000KL-TR1-E3	BS170
描述	MOSFET QD 60V 0.225A		MOSFET 60V (DS) .47A .8W	MOSFET 60V 0.5A
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.225 A	0.225 A	0.47 A	0.3 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2 W	2 W	0.8 W	0.83 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	-	Vishay(威世)
JESD-609代码	e0	-	e3	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	-	1	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ