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VQ1000J

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共2页
制造商Exar
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VQ1000J概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

VQ1000J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid102791983
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最大漏极电流 (ID)0.225 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
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