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VQ1000P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共6页
制造商Atmel (Microchip)
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VQ1000P在线购买

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VQ1000P概述

Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

VQ1000P规格参数

参数名称属性值
Objectid1438634199
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
其他特性FAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.225 A
最大漏源导通电阻5.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T14
元件数量4
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)1 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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