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MASMBJ36CAE3

eeworld网站中关于MASMBJ36CAE3有6个元器件。有MASMBJ36CAe3、MASMBJ36CAE3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MASMBJ36CAe3 Microsemi ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor 下载
MASMBJ36CAE3 Microchip(微芯科技) 58.1V 夹子 10.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMBJ(DO-214AA) 下载
MASMBJ36CAE3/TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 下载
MASMBJ36CAE3TR Microsemi 600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 下载
MASMBJ36CAE3/TR13 Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN 下载
MASMBJ36CAE3/TR7 Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN 下载
关于MASMBJ36CAE3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
MASMBJ36CAE3/TR13 、 MASMBJ36CAE3/TR7 下载文档
MASMBJ36CAE3TR 下载文档
MASMBJ36CAE3/TR 下载文档
MASMBJ36CAe3 下载文档
MASMBJ36CAE3资料比对:
型号 MASMBJ36CAE3/TR7 MASMBJ36CAE3/TR13
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 R-PDSO-J2 R-PDSO-J2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大击穿电压 44.2 V 44.2 V
最小击穿电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AA DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-J2 R-PDSO-J2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 250 250
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.38 W 1.38 W
最大重复峰值反向电压 36 V 36 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 J BEND J BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
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