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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RP1HV1
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RP1HV1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB，共3页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RP1HV1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon

RP1HV1规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
RP1H
１
Scope
The present specifications shall apply to an RP1H.
２
Outline
Type
Structure
Applications
Silicon Diode
Resin Molded
High Frequency Rectification
３
Flammability
UL94V-0(Equivalent)
４
Absolute maximum ratings
No.
1
2
3
4
5
6
7
Item
Transient Peak Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Surge Forward Current
I
2
t Limiting Value
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
RSM
V
RM
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
T
j
T
stg
Unit
V
V
A
A
A
2
s
°C
°C
Rating
2000
2000
0.1
5
0.125
-40 to +150
-40 to +150
Refer to derating curve
in Section 7
10ms.
Half sine wave, one shot
1ms≦ 10ms
t≦
Conditions
５
Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)
No.
1
2
3
Item
Forward Voltage Drop
Reverse Leakage Current
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
Symbol
V
F
I
R
H½I
R
trr1
4
Reverse Recovery Time
trr2
5
Thermal Resistance
R
th(j-l)
ns
°C/W
50 max.
15 max.
Unit
V
µA
µA
ns
Rating
7.0 max.
2.0 max.
10 max.
100 max.
I
F
=0.1A
V
R
=V
RM
V
R
=V
RM
, T
j
=100°C
I
F
=I
RP
=100mA
90% Recovery point, T
j
=25°C
I
F
=100mA, I
RP
=200mA
75% Recovery point, T
j
=25°C
Between Junction and Lead
Conditions
050323
1／3
61426-01

RP1HV1相似产品对比

RP1HV1 RP1HV
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL

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