MASMBJ36CAE3/TR,MASMBJ36CAE3/TR pdf中文资料,MASMBJ36CAE3/TR引脚图,MASMBJ36CAE3/TR电路-Datasheet-电子工程世界

MASMBJ36CAE3/TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小162KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MASMBJ36CAE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	44.2 V
最小击穿电压	40 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	36 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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