FFSP0865B PDF数据手册_FFSP0865B 特性/功能/参数/引脚图_ON Semiconductor(安森美) 二极管

FFSP0865B: 产品描述二极管碳化硅肖特基 650 V 10.1A（DC）通孔 TO-220-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小240KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

FFSP0865B概述

FFSP0865B 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新的技术，相比硅可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的切换特性和极佳的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体的理想材料选择。系统优点包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更小的系统尺寸以及更低的成本。

特性：
最大接点温度 175°C
高浪涌电流容量
正温度系数
易于并联
无反向恢复/无正向恢复
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
通用
开关电源、太阳能逆变器、 ups
电源开关电路

FFSP0865B规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;二极管
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装	管件
技术	SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	650 V
电流 - 平均整流 (Io)	10.1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.7 V @ 8 A
速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	40 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容	336pF @ 1V，100kHz
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-2
供应商器件封装	TO-220-2
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C
基本产品编号	FFSP0865

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