| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IRF9530NS | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK | 下载 |
| IRF9530NS | International Rectifier ( Infineon ) | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) | 下载 |
| IRF9530NS | Kersemi Electronic | Advanced Process Technology | 下载 |
| IRF9530NSPBF | International Rectifier ( Infineon ) | 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| IRF9530NSPBF | Infineon(英飞凌) | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC | 下载 |
| IRF9530NSPBF_15 | International Rectifier ( Infineon ) | ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY | 下载 |
| IRF9530NSTRL | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 | 下载 |
| IRF9530NSTRLHR | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2 | 下载 |
| IRF9530NSTRLPBF | International Rectifier ( Infineon ) | 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| IRF9530NSTRLPBF | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V -14A | 下载 |
| IRF9530NSTRLPBF | IR | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V,-14A | 下载 |
| IRF9530NSTRR | International Rectifier ( Infineon ) | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) | 下载 |
| IRF9530NSTRR | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK | 下载 |
| IRF9530NSTRRPBF | Infineon(英飞凌) | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC | 下载 |
| IRF9530NSTRRPBF | International Rectifier ( Infineon ) | Advanced Process Technology | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| IRF9530NS 、 IRF9530NSTRLPBF 、 IRF9530NSTRLPBF | 下载文档 |
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| 型号 | IRF9530NS | IRF9530NSTRLPBF | IRF9530NSTRLPBF |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V,-14A | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V -14A |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 符合 |
| 包装说明 | PLASTIC, D2PAK-3 | - | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| Reach Compliance Code | unknown | - | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级(Eas) | 250 mJ | - | 250 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 14 A | - | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 14 A | - | 14 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω | - | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | - | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 225 | - | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | - | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W | - | 79 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A | - | 56 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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