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IRF9530NS

eeworld网站中关于IRF9530NS有15个元器件。有IRF9530NS、IRF9530NS等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF9530NS Infineon(英飞凌) MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK 下载
IRF9530NS International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 下载
IRF9530NS Kersemi Electronic Advanced Process Technology 下载
IRF9530NSPBF International Rectifier ( Infineon ) 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF9530NSPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC 下载
IRF9530NSPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 下载
IRF9530NSTRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 下载
IRF9530NSTRLHR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2 下载
IRF9530NSTRLPBF International Rectifier ( Infineon ) 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF9530NSTRLPBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V -14A 下载
IRF9530NSTRLPBF IR 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V,-14A 下载
IRF9530NSTRR International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 下载
IRF9530NSTRR Infineon(英飞凌) MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK 下载
IRF9530NSTRRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC 下载
IRF9530NSTRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
关于IRF9530NS相关文档资料:
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IRF9530NS资料比对:
型号 IRF9530NS IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF
描述 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V,-14A 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-100V -14A
是否Rohs认证 不符合 - 符合
包装说明 PLASTIC, D2PAK-3 - LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code unknown - not_compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY - AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 250 mJ - 250 mJ
外壳连接 DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A - 14 A
最大漏极电流 (ID) 14 A - 14 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω - 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 - e3
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 225 - 260
极性/信道类型 P-CHANNEL - P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W - 79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A - 56 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 - 1
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