器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | 下载 |
DMN100-7-F | Diodes | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.1A 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道,30V,1.1A,150mΩ@10V | 下载 |
漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.1A 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道,30V,1.1A,150mΩ@10V
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.1A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA |
漏源导通电阻 | 240mΩ @ 1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 500mW |
类型 | N沟道 |
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