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DMN100-7-F: 产品描述MOSFET N-Channel; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小95KB，共4页; 制造商Diodes Incorporated; 标准

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MOSFET N-Channel

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Diodes Incorporated
零件包装代码	SC-59
包装说明	GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	19 weeks
Samacsys Description	MOSFET N-Channel 30V 1.1A SC-59 Diodes Inc DMN100-7-F N-channel MOSFET Transistor, 1.1 A, 30 V, 3-Pin SC-59
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.1 A
最大漏极电流 (ID)	1.1 A
最大漏源导通电阻	0.24 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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