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AT27BV512-70RI

产品描述512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM
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文件大小305KB,共15页
制造商Atmel (Microchip)
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AT27BV512-70RI概述

512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM

AT27BV512-70RI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.5
针数28
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
其他特性ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.25 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.79 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8.69 mm
Base Number Matches1

AT27BV512-70RI相似产品对比

AT27BV512-70RI AT27BV512-70JI AT27BV512_07
描述 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) -
零件包装代码 SOIC QFJ -
包装说明 SOP, SOP28,.5 QCCJ, LDCC32,.5X.6 -
针数 28 32 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Is Samacsys N N -
最长访问时间 70 ns 70 ns -
其他特性 ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY -
I/O 类型 COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PQCC-J32 -
JESD-609代码 e0 e0 -
长度 18.25 mm 13.97 mm -
内存密度 524288 bi 524288 bi -
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM -
内存宽度 8 8 -
湿度敏感等级 2 2 -
功能数量 1 1 -
端子数量 28 32 -
字数 65536 words 65536 words -
字数代码 64000 64000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
组织 64KX8 64KX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP QCCJ -
封装等效代码 SOP28,.5 LDCC32,.5X.6 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE CHIP CARRIER -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 -
电源 3/5 V 3/5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 2.79 mm 3.556 mm -
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A -
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA -
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V -
表面贴装 YES YES -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 GULL WING J BEND -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL QUAD -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 -
宽度 8.69 mm 11.43 mm -
Base Number Matches 1 1 -
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