512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP28,.5 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.25 mm |
内存密度 | 524288 bi |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP28,.5 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.79 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 8.69 mm |
Base Number Matches | 1 |
AT27BV512-70RI | AT27BV512-70JI | AT27BV512_07 | |
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描述 | 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM | 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM | 512K (64K x 8) Unregulated Battery-Voltage High-Speed OTP EPROM |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | - |
零件包装代码 | SOIC | QFJ | - |
包装说明 | SOP, SOP28,.5 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | - |
针数 | 28 | 32 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
Is Samacsys | N | N | - |
最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | - |
其他特性 | ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY | ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY | - |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-PQCC-J32 | - |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
长度 | 18.25 mm | 13.97 mm | - |
内存密度 | 524288 bi | 524288 bi | - |
内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM | - |
内存宽度 | 8 | 8 | - |
湿度敏感等级 | 2 | 2 | - |
功能数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 28 | 32 | - |
字数 | 65536 words | 65536 words | - |
字数代码 | 64000 | 64000 | - |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - |
组织 | 64KX8 | 64KX8 | - |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装代码 | SOP | QCCJ | - |
封装等效代码 | SOP28,.5 | LDCC32,.5X.6 | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER | - |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | - |
电源 | 3/5 V | 3/5 V | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
座面最大高度 | 2.79 mm | 3.556 mm | - |
最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A | - |
最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | - |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - |
表面贴装 | YES | YES | - |
技术 | CMOS | CMOS | - |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
端子形式 | GULL WING | J BEND | - |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
端子位置 | DUAL | QUAD | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - |
宽度 | 8.69 mm | 11.43 mm | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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