TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 800 ns |
| 最大开启时间（吨） | 150 ns |
| VCEsat-Max | 0.55 V |
| Base Number Matches | 1 |
| BCW61AT/R | BCW61A | |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal | TRANSISTOR,BJT,PNP,32V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236AA |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
| 配置 | SINGLE | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 120 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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