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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> IR2111S

IR2111S: 产品描述0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小154KB，共15页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 相似器件已查找到6个与IR2111S功能相似器件

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IR2111S概述

0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8

IR2111S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
标称输出峰值电流	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最大供电电压	20 V
最小供电电压	10 V
标称供电电压	15 V
电源电压1-最大	620 V
电源电压1-分钟	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	0.18 µs
接通时间	0.95 µs
宽度	3.9 mm
Base Number Matches	1

IR2111S相似产品对比

	IR2111S	IR2111PBF	IR2111SPBF	IR2111
描述	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	SOIC	DIP	SOIC	DIP
包装说明	SOP, SOP8,.25	LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-8	LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8	DIP, DIP8,.3
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	YES	YES	YES	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e3	e3	e0
长度	4.9 mm	9.88 mm	4.9 mm	9.88 mm
湿度敏感等级	2	2	2	2
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
标称输出峰值电流	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP	SOP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	DIP8,.3	SOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	245	250	260	225
电源	15 V	15 V	15 V	15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	5.33 mm	1.75 mm	5.33 mm
最大供电电压	20 V	20 V	20 V	20 V
最小供电电压	10 V	10 V	10 V	10 V
标称供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V
电源电压1-最大	620 V	620 V	620 V	620 V
电源电压1-分钟	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
断开时间	0.18 µs	0.18 µs	0.18 µs	0.18 µs
接通时间	0.95 µs	0.95 µs	0.95 µs	0.95 µs
宽度	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

与IR2111S功能相似器件

器件名	厂商	描述
IR2111STRPBF	Infineon(英飞凌)	Bridge Rectifiers VRM=600 IFSM=350
IR2111SPBF	Infineon(英飞凌)	Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA
IR2111S	Infineon(英飞凌)	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
MPIC2111D	Motorola ( NXP )	HALF-BRIDGE DRIVER
IR2111STR	International Rectifier （ Infineon ）	HALF-BRIDGE DRIVER
MPIC2111DR2	Motorola ( NXP )	0.25A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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