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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> IR2111

IR2111: 产品描述0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小154KB，共15页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 相似器件已查找到3个与IR2111功能相似器件

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IR2111概述

0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8

0.5 A 半桥场效应管驱动器, PDIP8

IR2111规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.88 mm
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
标称输出峰值电流	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm
最大供电电压	20 V
最小供电电压	10 V
标称供电电压	15 V
电源电压1-最大	620 V
电源电压1-分钟	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	0.18 µs
接通时间	0.95 µs
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

IR2111相似产品对比

	IR2111	IR2111PBF	IR2111S	IR2111SPBF
描述	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP8	0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP8,.3	LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-8	SOP, SOP8,.25	LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	YES	YES	YES	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e3	e0	e3
长度	9.88 mm	9.88 mm	4.9 mm	4.9 mm
湿度敏感等级	2	2	2	2
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
标称输出峰值电流	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	250	245	260
电源	15 V	15 V	15 V	15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm	5.33 mm	1.75 mm	1.75 mm
最大供电电压	20 V	20 V	20 V	20 V
最小供电电压	10 V	10 V	10 V	10 V
标称供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V
电源电压1-最大	620 V	620 V	620 V	620 V
电源电压1-分钟	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
断开时间	0.18 µs	0.18 µs	0.18 µs	0.18 µs
接通时间	0.95 µs	0.95 µs	0.95 µs	0.95 µs
宽度	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

与IR2111功能相似器件

器件名	厂商	描述
IR2111	Infineon(英飞凌)	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
IR2111PBF	Infineon(英飞凌)
MPIC2111P	NXP(恩智浦)	IC,DUAL MOSFET DRIVER,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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