IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SOIC-8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | YES |
接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.9 mm |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
标称输出峰值电流 | 0.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最大供电电压 | 20 V |
最小供电电压 | 10 V |
标称供电电压 | 15 V |
电源电压1-最大 | 620 V |
电源电压1-分钟 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 0.18 µs |
接通时间 | 0.95 µs |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
IR2111S | IR2111STRPBF | IR2111STR | IR2111 | IR2111PBF | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC | Bridge Rectifiers VRM=600 IFSM=350 | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP | |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | - | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SOIC-8 | MS-012AA, SOIC-8 | - | DIP-8 | DIP-8 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant | - | unknown | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
高边驱动器 | YES | YES | - | YES | YES |
接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | - | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | - | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 |
长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | - | 9.88 mm | 9.88 mm |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | - | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
标称输出峰值电流 | 0.5 A | 0.5 A | - | 0.5 A | 0.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | SOP | - | DIP | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | - | 5.33 mm | 5.33 mm |
最大供电电压 | 20 V | 20 V | - | 20 V | 20 V |
最小供电电压 | 10 V | 10 V | - | 10 V | 10 V |
标称供电电压 | 15 V | 15 V | - | 15 V | 15 V |
电源电压1-最大 | 620 V | 620 V | - | 620 V | 620 V |
电源电压1-分钟 | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | - | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | - | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 0.18 µs | 0.18 µs | - | 0.18 µs | 0.18 µs |
接通时间 | 0.95 µs | 0.95 µs | - | 0.95 µs | 0.95 µs |
宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
IR2111SPBF | Infineon(英飞凌) | Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA |
IR2111STRPBF | Infineon(英飞凌) | Bridge Rectifiers VRM=600 IFSM=350 |
IR2111STR | International Rectifier ( Infineon ) | HALF-BRIDGE DRIVER |
MPIC2111DR2 | Motorola ( NXP ) | 0.25A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 |
MPIC2111D | Motorola ( NXP ) | HALF-BRIDGE DRIVER |
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