2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM240,40 |
| 针数 | 240 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N240 |
| 内存密度 | 19327352832 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 240 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM240,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.97 A |
| 最大压摆率 | 7.73 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |

| EBE21RD4AGFA-6E-E | EBE21RD4AGFA-5C-E | EBE21RD4AGFA | EBE21RD4AGFA-4A-E | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks) | 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks) | 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks) | 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks) |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA | ELPIDA | - | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | - | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM240,40 | DIMM, DIMM240,40 | - | DIMM, DIMM240,40 |
| 针数 | 240 | 240 | - | 240 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | - | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.5 ns | - | 0.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz | 267 MHz | - | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 | - | R-XDMA-N240 |
| 内存密度 | 19327352832 bi | 19327352832 bi | - | 19327352832 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | - | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 | 72 | - | 72 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 240 | 240 | - | 240 |
| 字数 | 268435456 words | 268435456 words | - | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 | 256000000 | - | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C |
| 组织 | 256MX72 | 256MX72 | - | 256MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | - | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM240,40 | DIMM240,40 | - | DIMM240,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - | 260 |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | - | 8192 |
| 自我刷新 | YES | YES | - | YES |
| 最大待机电流 | 0.97 A | 0.93 A | - | 0.81 A |
| 最大压摆率 | 7.73 mA | 7.42 mA | - | 6.85 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | - | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | - | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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