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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EBD51RC4AKFA-6B
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EBD51RC4AKFA-6B

产品描述512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank)
产品类别存储    存储   
文件大小197KB，共19页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EBD51RC4AKFA-6B概述

512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank)

EBD51RC4AKFA-6B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
JESD-609代码e0
内存密度4831838208 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）235
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.444 A
最大压摆率6.15 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
512MB Registered DDR SDRAM DIMM
EBD51RC4AKFA
(64M words
×
72 bits, 1 Rank)
Description
The EBD51RC4AKFA is a 64M words
×
72 bits, 1 rank
Double Data Rate (DDR) SDRAM Module, mounting 18
pieces of DDR SDRAM sealed in TSOP package.
Read and write operations are performed at the cross
points of the CK and the /CK. This high-speed data
transfer is realized by the 2-bit prefetch-pipelined
architecture. Data strobe (DQS) both for read and
write are available for high speed and reliable data bus
design. By setting extended mode register, the on-chip
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.
This module provides high density mounting without
utilizing surface mount technology.
Decoupling
capacitors are mounted beside each TSOP on the
module board.
Features
•
184-pin socket type dual in line memory module
(DIMM)
PCB height: 30.48mm
Lead pitch: 1.27mm
•
2.5V power supply
•
Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)
•
2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O
•
Double Data Rate architecture; two data transfers per
clock cycle
•
Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted
/received with data, to be used in capturing data at
the receiver
•
Data inputs and outputs are synchronized with DQS
•
4 internal banks for concurrent operation
(Component)
•
DQS is edge aligned with data for READs; center
aligned with data for WRITEs
•
Differential clock inputs (CK and /CK)
•
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK
transitions
•
Commands entered on each positive CK edge; data
referenced to both edges of DQS
•
Auto precharge option for each burst access
•
Programmable burst length: 2, 4, 8
•
Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5
•
Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)
7.8µs maximum average periodic refresh interval
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
•
1 piece of PLL clock driver, 2 pieces of register
drivers and 1 piece of serial EEPROM (2k bits
EEPROM) for Presence Detect (PD)
Document No. E0377E20 (Ver. 2.0)
Date Published January 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida
Memory,Inc. 2003-2004

EBD51RC4AKFA-6B相似产品对比

EBD51RC4AKFA-6B EBD51RC4AKFA EBD51RC4AKFA-7A EBD51RC4AKFA-7B
描述 512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank) 512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank) 512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank) 512MB Registered DDR SDRAM DIMM (64M words X 72 bits, 1 Rank)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 - 184 184
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns - 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz - 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
JESD-609代码 e0 - e0 e0
内存密度 4831838208 bi - 4831838208 bi 4831838208 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 - 72 72
功能数量 1 - 1 1
端口数量 1 - 1 1
端子数量 184 - 184 184
字数 67108864 words - 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 - 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 64MX72 - 64MX72 64MX72
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 - DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 235 - 235 235
电源 2.5 V - 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192 8192
自我刷新 YES - YES YES
最大待机电流 0.444 A - 0.444 A 0.444 A
最大压摆率 6.15 mA - 5.25 mA 5.25 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO - NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED 30

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