Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> BR24G256FVT-3AGE2

BR24G256FVT-3AGE2: 产品描述SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共40页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24G256FVT-3AGE2概述

SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM

BR24G256FVT-3AGE2规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	TSSOP-8
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	11 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	4.4 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

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Datasheet

Serial EEPROM Series Standard EEPROM

C BUS EEPROM (2-Wire)

BR24Gxxx-3A (128K 256K 1M)

General Description

BR24Gxxx-3A is a serial EEPROM of I

C BUS Interface Method

Features



All controls available by 2 ports of serial clock(SCL) and

serial data(SDA)



Other devices than EEPROM can be connected to the

same port, saving microcontroller port



1.7V to 5.5V Single Power Source Operation most

suitable for battery use



1.7V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible

1MHz operation



Page Write Mode useful for initial value write at factory

shipment



Self-timed Programming Cycle



Low Current Consumption



Prevention of Write Mistake



Write (Write Protect) Function added



Prevention of Write Mistake at Low Voltage



More than 1 million write cycles



More than 40 years data retention



Noise filter built in SCL / SDA terminal



Initial delivery state FFh

Packages

W(Typ) x D(Typ)x H(Max)

DIP-T8

9.30mm x 6.50mm x 7.10mm

TSSOP-B8

3.00mm x 6.40mm x 1.20mm

SOP8

5.00mm x 6.20mm x 1.71mm

TSSOP-B8J

3.00mm x 4.90mm x 1.10mm

SOP-J8

4.90mm x 6.00mm x 1.65mm

MSOP8

2.90mm x 4.00mm x 0.90mm

SSOP-B8

3.00mm x 6.40mm x 1.35mm

VSON008X2030

2.00mm x 3.00mm x 0.60mm

Figure 1.

Page Write

Number of Pages

Product Number

64Byte

BR24G128-3A

BR24G256-3A

256Byte

BR24G1M-3A

BR24G128-3A

Capacity

Bit Format

Type

BR24G128-3A

BR24G128F-3A

BR24G128FJ-3A

BR24G128FV-3A

128kbit

16k×8

BR24G128FVT-3A

BR24G128FVJ-3A

BR24G128FVM-3A

BR24G128NUX-3A

1.7V to 5.5V

TSSOP-B8

TSSOP-B8J

MSOP8

VSON008X2030

Power Source

Voltage

Package

DIP-T8

SOP8

SOP-J8

SSOP-B8

○

Product structure：Silicon monolithic integrated circuit

○This

product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.com

TSZ02201-0R2R0G100020-1-2

1/36

18.Jun.2015 Rev.006

TSZ22111・14・001

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描述	SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM	EEPROM EEPROM Serial-I2C 128Kb	DC Power Connectors DC Power Plugs u0026 Audio Plugs	Temperature Sensor Development Tools BME280 or SPI Temp Humidity Press. SNSR	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 22uF 6.3volts *Derate Voltage/Temp	EEPROM I2C BUS 128K 16384 8bit EEPROM	EEPROM	Crystals 24MHz 200PPM Tol. AEC-Q200 CRYSTAL
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TSSOP-8	LSOP,	SOP-8	SOP-8	SSOP-8	LSSOP,	DIP, DIP8,.3	SOP-8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8
长度	4.4 mm	4.9 mm	5 mm	5 mm	4.4 mm	4.4 mm	9.3 mm	5 mm
内存密度	262144 bit	131072 bit	262144 bit	131072 bit	262144 bit	131072 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	32768 words	16384 words	32768 words	16384 words	32768 words	16384 words	131072 words	131072 words
字数代码	32000	16000	32000	16000	32000	16000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	16KX8	32KX8	16KX8	32KX8	16KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	LSOP	SOP	SOP	LSSOP	LSSOP	DIP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm	1.65 mm	1.71 mm	1.71 mm	1.35 mm	1.35 mm	3.7 mm	1.71 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	3 mm	3.9 mm	4.4 mm	4.4 mm	3 mm	3 mm	7.62 mm	4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
Factory Lead Time	11 weeks	11 weeks	11 weeks	11 weeks	11 weeks	11 weeks	-	11 weeks
Base Number Matches	1	-	1	1	1	-	-	1
厂商名称	-	ROHM(罗姆半导体)	-	ROHM(罗姆半导体)	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
其他特性	-	SEATED HT-CALCULATED	SEATED HT-CALCULATED	SEATED HT-CALCULATED	SEATED HT-CALCULATED	SEATED HT-CALCULATED	ROHM-S-A0000225889 REF SEATED HTCONSIDER	SEATED HT-CALCULATED

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