Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NTE |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 8500 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 250 ns |
| NTE3300 | NTE3301 | |
|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch |
| 厂商名称 | NTE | NTE |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 8500 ns | 8500 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 250 ns | 250 ns |
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