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MMBT1616L-L-AE3-R

产品描述npn epitaxial silicon transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT1616L-L-AE3-R概述

npn epitaxial silicon transistor

MMBT1616L-L-AE3-R规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
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