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PN4117_D26Z

产品描述JFET N 通道 40 V 350 mW 通孔 TO-92-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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PN4117_D26Z概述

JFET N 通道 40 V 350 mW 通孔 TO-92-3

PN4117_D26Z规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装卷带(TR)
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3pF @ 10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40 V
功率 - 最大值350 mW
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)30 µA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)600 mV @ 1 nA
基本产品编号PN4117

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PN4117 / 4118 / 4119 / MMBF4117 / 4118 / 4119
PN4117
PN4118
PN4119
MMBF4117
MMBF4118
MMBF4119
G
S
G
S
TO-92
D
SOT-23
Mark: 61A / 61C / 61E
D
NOTE: Source & Drain
are interchangeable
N-Channel Switch
This device is designed for low current DC and audio applications.
These devices provide excellent performance as input stages for
sub-picoamp instrumentation or any high impedance signal
sources. Sourced from Process 53.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
stg
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
- 40
50
-55 to +150
Units
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
PN4117-4119
350
2.8
125
357
Max
*MMBF4117-4119
225
1.8
556
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
Fairchild Semiconductor Corporation
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