MSM832TPMC-70概述

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28

MSM832TPMC-70规格参数

参数名称	属性值
端子数量	28
封装等效代码	DIP28,.3
封装形式	IN-LINE
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm
最低工作温度	-55 °C
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最高工作温度	125 °C
是否Rohs认证	No
Is Samacsys	N
YTEOL	0
Objectid	1154969142
包装说明	DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code	Unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
组织	32KX8
标称供电电压 (Vsup)	5 V
最长访问时间	70 ns
内存密度	262144 bit
内存宽度	8
字数	32768 words
字数代码	32000
输出特性	3-STATE
最小待机电流	2 V
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
I/O 类型	COMMON
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
工作模式	ASYNCHRONOUS
并行/串行	PARALLEL
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.13 mA
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e0
认证状态	Not Qualified
长度	35.56 mm
座面最大高度	4.2 mm
宽度	7.62 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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