75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
最小击穿电压 | 600 V |
加工封装描述 | MINIBLOC-3 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子涂层 | 镍 |
端子位置 | UPPER |
包装材料 | UNSPECIFIED |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | 隔离 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 75 A |
额定雪崩能量 | 1800 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0360 ohm |
最大漏电流脉冲 | 250 A |
IXKN75N60C | IXKN75N60 | |
---|---|---|
描述 | 75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
端子数量 | 4 | 4 |
最小击穿电压 | 600 V | 600 V |
加工封装描述 | MINIBLOC-3 | MINIBLOC-3 |
无铅 | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 | 凸缘安装 |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子涂层 | 镍 | 镍 |
端子位置 | UPPER | UPPER |
包装材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | 隔离 | 隔离 |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 |
通道类型 | N沟道 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 |
最大漏电流 | 75 A | 75 A |
额定雪崩能量 | 1800 mJ | 1800 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0360 ohm | 0.0360 ohm |
最大漏电流脉冲 | 250 A | 250 A |
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