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IXKN75N60

产品描述75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小82KB,共4页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXKN75N60概述

75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

IXKN75N60规格参数

参数名称属性值
端子数量4
最小击穿电压600 V
加工封装描述MINIBLOC-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流75 A
额定雪崩能量1800 mJ
最大漏极导通电阻0.0360 ohm
最大漏电流脉冲250 A

IXKN75N60相似产品对比

IXKN75N60 IXKN75N60C
描述 75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 4 4
最小击穿电压 600 V 600 V
加工封装描述 MINIBLOC-3 MINIBLOC-3
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子涂层
端子位置 UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接 隔离 隔离
元件数量 1 1
晶体管应用 开关 开关
晶体管元件材料
通道类型 N沟道 N沟道
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 通用电源 通用电源
最大漏电流 75 A 75 A
额定雪崩能量 1800 mJ 1800 mJ
最大漏极导通电阻 0.0360 ohm 0.0360 ohm
最大漏电流脉冲 250 A 250 A

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