Standard SRAM, 16X4, 30ns, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 内存密度 | 64 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 16 words |
| 字数代码 | 16 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16X4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AM27S03A/B2C | AM27S03/B2C | AM27S02A/B2C | AM27S02/B2C | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 16X4, 30ns, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | Standard SRAM, 16X4, 30ns, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC | QLCC | QLCC | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | QCCN, LCC20,.35SQ | QCCN, LCC20,.35SQ | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 30 ns | 50 ns | 30 ns | 50 ns |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | S-CQCC-N20 | S-CQCC-N20 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm | 8.89 mm | 8.89 mm | 8.89 mm |
| 内存密度 | 64 bit | 64 bit | 64 bit | 64 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 字数 | 16 words | 16 words | 16 words | 16 words |
| 字数代码 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 16X4 | 16X4 | 16X4 | 16X4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | OPEN-COLLECTOR | OPEN-COLLECTOR |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | LCC20,.35SQ | LCC20,.35SQ | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm | 8.89 mm | 8.89 mm | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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