MT42L64M64D2MC-3IT:A,MT42L64M64D2MC-3IT:A pdf中文资料,MT42L64M64D2MC-3IT:A引脚图,MT42L64M64D2MC-3IT:A电路-Datasheet-电子工程世界

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MT42L64M64D2MC-3IT:A: 产品描述DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240; 产品类别存储存储; 文件大小7MB，共145页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT42L64M64D2MC-3IT:A概述

DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240

MT42L64M64D2MC-3IT:A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B240
长度	14 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	64MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	0.8 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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描述	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240	DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,
针数	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B240	S-PBGA-B240	S-PBGA-B240	S-PBGA-B240	S-PBGA-B240	S-PBGA-B240
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	105 °C	85 °C	105 °C	85 °C	105 °C
最低工作温度	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-40 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	0.8 mm	0.9 mm	0.9 mm	1 mm	1 mm	0.8 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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