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MT42L64M64D2MQ-3IT:A

产品描述DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240
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文件大小7MB,共145页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT42L64M64D2MQ-3IT:A概述

DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240

MT42L64M64D2MQ-3IT:A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B240
长度14 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织64MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度0.9 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

MT42L64M64D2MQ-3IT:A相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240 DDR DRAM, 64MX64, CMOS, PBGA240, 14 X 14 MM, GREEN, FBGA-240
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA,
针数 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B240 S-PBGA-B240 S-PBGA-B240 S-PBGA-B240 S-PBGA-B240 S-PBGA-B240
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 105 °C 105 °C 85 °C 105 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -40 °C -40 °C -25 °C -40 °C
组织 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 0.9 mm 0.8 mm 0.9 mm 1 mm 1 mm 0.8 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER INDUSTRIAL INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

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