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CXK77B1810AGB-5

产品描述High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小45KB,共4页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK77B1810AGB-5概述

High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM

CXK77B1810AGB-5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
其他特性BYTE WRITE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度1179648 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术BICMOS
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
Base Number Matches1

CXK77B1810AGB-5相似产品对比

CXK77B1810AGB-5 CXK77B1810AGB CXK77B1810AGB-6
描述 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
零件包装代码 BGA - BGA
包装说明 BGA, - BGA,
针数 119 - 119
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A
其他特性 BYTE WRITE - BYTE WRITE
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 - R-PBGA-B119
长度 22 mm - 22 mm
内存密度 1179648 bi - 1179648 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 18 - 18
功能数量 1 - 1
端子数量 119 - 119
字数 65536 words - 65536 words
字数代码 64000 - 64000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
组织 64KX18 - 64KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA - BGA
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY - GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 2.4 mm - 2.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V - 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V - 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES - YES
技术 BICMOS - BICMOS
端子形式 BALL - BALL
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
宽度 14 mm - 14 mm
Base Number Matches 1 - 1

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