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CXK77B1810AGB

产品描述High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
文件大小45KB,共4页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK77B1810AGB概述

High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM

CXK77B1810AGB相似产品对比

CXK77B1810AGB CXK77B1810AGB-6 CXK77B1810AGB-5
描述 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
零件包装代码 - BGA BGA
包装说明 - BGA, BGA,
针数 - 119 119
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
其他特性 - BYTE WRITE BYTE WRITE
JESD-30 代码 - R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 - 22 mm 22 mm
内存密度 - 1179648 bi 1179648 bi
内存集成电路类型 - STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 - 18 18
功能数量 - 1 1
端子数量 - 119 119
字数 - 65536 words 65536 words
字数代码 - 64000 64000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 - 64KX18 64KX18
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - BGA BGA
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 2.4 mm 2.4 mm
最大供电电压 (Vsup) - 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) - 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES
技术 - BICMOS BICMOS
端子形式 - BALL BALL
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
宽度 - 14 mm 14 mm
Base Number Matches - 1 1

 
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