High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B1810AGB | CXK77B1810AGB-6 | CXK77B1810AGB-5 | |
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描述 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
零件包装代码 | - | BGA | BGA |
包装说明 | - | BGA, | BGA, |
针数 | - | 119 | 119 |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
其他特性 | - | BYTE WRITE | BYTE WRITE |
JESD-30 代码 | - | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
长度 | - | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | - | 1179648 bi | 1179648 bi |
内存集成电路类型 | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | - | 18 | 18 |
功能数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 119 | 119 |
字数 | - | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | - | 64000 | 64000 |
工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | - | 64KX18 | 64KX18 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | - | BGA | BGA |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | - | 2.4 mm | 2.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | - | 3.45 V | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup) | - | 3.15 V | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | - | YES | YES |
技术 | - | BICMOS | BICMOS |
端子形式 | - | BALL | BALL |
端子节距 | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | - | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | - | 14 mm | 14 mm |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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