CXK77B1810AGB-6,CXK77B1810AGB-6 pdf中文资料,CXK77B1810AGB-6引脚图,CXK77B1810AGB-6电路-Datasheet-电子工程世界

CXK77B1810AGB-6: 产品描述High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM; 产品类别存储存储; 文件大小45KB，共4页; 制造商SONY(索尼); 官网地址http://www.sony.co.jp

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CXK77B1810AGB-6概述

High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM

	CXK77B1810AGB-6	CXK77B1810AGB	CXK77B1810AGB-5
描述	High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM	High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM	High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
零件包装代码	BGA	-	BGA
包装说明	BGA,	-	BGA,
针数	119	-	119
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A
其他特性	BYTE WRITE	-	BYTE WRITE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B119
长度	22 mm	-	22 mm
内存密度	1179648 bi	-	1179648 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM
内存宽度	18	-	18
功能数量	1	-	1
端子数量	119	-	119
字数	65536 words	-	65536 words
字数代码	64000	-	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
组织	64KX18	-	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	-	BGA
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	-	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	-	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	-	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES
技术	BICMOS	-	BICMOS
端子形式	BALL	-	BALL
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM
宽度	14 mm	-	14 mm
Base Number Matches	1	-	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ