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NAND512W3A2SZAXE

产品描述IC flash 512mbit 63vfbga
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文件大小955KB,共51页
制造商Micron(美光)
官网地址http://www.micron.com/
标准  
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NAND512W3A2SZAXE概述

IC flash 512mbit 63vfbga

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Numonyx® NAND SLC small page
70 nm Discrete
512 Mbit, 528 Byte/264 Word page, x8/x16, 1.8 V/3 V
Features
Density
– 512 Mbit: 4096 blocks
NAND Flash interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/data
Memory configuration
– Page size:
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
– Block size:
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
Supply voltage: 1.8 V, 3 V
Read/write performance
– Random access: 12 µs (3 V)/15 µs(1.8 V)
(max)
– Sequential access: 30 ns (3 V)/50 ns
(1.8 V)(min)
– Page program time: 200 µs (typ)
– Block erase time: 2 ms (typ)
– Programming performance (typ):
x8 device: 2.3 MByte/s
x16 device: 2.4 MByte/s
Additional features
– Copy back program mode
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
Quality and reliability
– 100,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
– Operating temperature:
40 to 85
°C
Security
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Electronic signature
– Manufacturer ID:
x8 device: 20h
x16 device: 0020h
– Device ID:
NAND512W3A2S: 76h
NAND512W4A2S: 0056h
NAND512R3A2S: 36h
NAND512R4A2S: 0046h
Package
– RoHS compliant
– TSOP48 12 x 20 mm
– VFBGA63 9 x 11 mm
Table 1.
Device summary
Root part number list - see
Table 25
for details
NAND512W3A2S
NAND512W4A2S
NAND512R3A2S
NAND512R4A2S
October 2012
210403 - Rev 4
1/51
www.numonyx.com
1

NAND512W3A2SZAXE相似产品对比

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描述 IC flash 512mbit 63vfbga IC flash 512mbit tsop IC flash 512mbit vfbga IC flash 512mbit vfbga IC flash 512mbit vfbga IC flash 512mbit 63vfbga IC flash 512mbit 48tsop IC flash 512mbit 48tsop
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