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NAND512W3A2SZA6E

产品描述IC flash 512mbit vfbga
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文件大小955KB,共51页
制造商Micron(美光)
官网地址http://www.micron.com/
标准  
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NAND512W3A2SZA6E概述

IC flash 512mbit vfbga

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Numonyx® NAND SLC small page
70 nm Discrete
512 Mbit, 528 Byte/264 Word page, x8/x16, 1.8 V/3 V
Features
Density
– 512 Mbit: 4096 blocks
NAND Flash interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/data
Memory configuration
– Page size:
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
– Block size:
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
Supply voltage: 1.8 V, 3 V
Read/write performance
– Random access: 12 µs (3 V)/15 µs(1.8 V)
(max)
– Sequential access: 30 ns (3 V)/50 ns
(1.8 V)(min)
– Page program time: 200 µs (typ)
– Block erase time: 2 ms (typ)
– Programming performance (typ):
x8 device: 2.3 MByte/s
x16 device: 2.4 MByte/s
Additional features
– Copy back program mode
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
Quality and reliability
– 100,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
– Operating temperature:
40 to 85
°C
Security
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Electronic signature
– Manufacturer ID:
x8 device: 20h
x16 device: 0020h
– Device ID:
NAND512W3A2S: 76h
NAND512W4A2S: 0056h
NAND512R3A2S: 36h
NAND512R4A2S: 0046h
Package
– RoHS compliant
– TSOP48 12 x 20 mm
– VFBGA63 9 x 11 mm
Table 1.
Device summary
Root part number list - see
Table 25
for details
NAND512W3A2S
NAND512W4A2S
NAND512R3A2S
NAND512R4A2S
October 2012
210403 - Rev 4
1/51
www.numonyx.com
1

NAND512W3A2SZA6E相似产品对比

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