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5962-8850301PX: 产品描述IC 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, MOSFET Driver; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小240KB，共8页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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5962-8850301PX概述

IC 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, MOSFET Driver

5962-8850301PX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microchip(微芯科技)
包装说明	CERDIP-8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	NO
输入特性	STANDARD
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
长度	9.7155 mm
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A
输出极性	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	12 mA
最大供电电压	18 V
最小供电电压	4.5 V
标称供电电压	18 V
表面贴装	NO
技术	BICMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
断开时间	0.06 µs
接通时间	0.12 µs
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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MIC426/427/428 驱动器强调兼容性和易用性，采用Bipolar/CMOS/DMOS工艺，确保与多种逻辑系统无缝接口。输入部分完全兼容TTL和CMOS电平，输入电流低至1μA，允许直接驱动来自微处理器、FPGA或开集电极比较器的信号，无需额外缓冲。输出电平摆幅 within 25mV of supply，提供接近理想的开关性能，输出峰值电流1.5A，开关时间30ns for 1000pF负载。工作电压范围宽，4.5V to 18V，支持单电源操作，减少了外部组件需求。器件有反相、非反相和混合版本（MIC426/427/428），引脚布局兼容DS0026，便于替换或新设计集成。低输出阻抗6Ω和高驱动能力使其适合驱动功率MOSFET、继电器或线路。应用领域广泛，包括工业自动化、汽车电子、通信设备和消费电子产品，其中兼容性简化了系统开发和测试。电气参数如逻辑输入电压2.4V/0.8V，电源电流0.4mA to 8mA，温度范围覆盖-55°C to 125°C，封装选项包括SOIC、PDIP和CerDIP，确保在各种条件下稳定运行。

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5962-8850301PX相似产品对比

	5962-8850301PX	MIC428CY	MIC427CY	MIC426CY
描述	IC 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, MOSFET Driver	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	CERDIP-8	DIE, DIE OR CHIP	DIE, DIE OR CHIP	DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code	compliant	unknow	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	NO	NO	NO	NO
输入特性	STANDARD	STANDARD	STANDARD	STANDARD
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	X-XUUC-N6	X-XUUC-N6	X-XUUC-N6
功能数量	2	2	2	2
端子数量	8	6	6	6
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
输出特性	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
输出极性	INVERTED	TRUE AND INVERTED	TRUE	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIE	DIE	DIE
封装形状	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	IN-LINE	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	12 mA	8 mA	8 mA	8 mA
最大供电电压	18 V	18 V	18 V	18 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压	18 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	UPPER	UPPER	UPPER
断开时间	0.06 µs	0.075 µs	0.075 µs	0.04 µs
接通时间	0.12 µs	0.075 µs	0.04 µs	0.075 µs
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
封装等效代码	-	DIE OR CHIP	DIE OR CHIP	DIE OR CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	-	240	240	240
电源	-	4.5/18 V	4.5/18 V	4.5/18 V
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

5962-8850301PX

5962-8850301PX概述

5962-8850301PX规格参数

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