MIC427CY概述

Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS

MIC427CY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
包装说明	DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	NO
输入特性	STANDARD
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	X-XUUC-N6
JESD-609代码	e0
功能数量	2
端子数量	6
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
输出特性	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A
输出极性	TRUE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIE
封装等效代码	DIE OR CHIP
封装形状	UNSPECIFIED
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	4.5/18 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	8 mA
最大供电电压	18 V
最小供电电压	4.5 V
标称供电电压	5 V
表面贴装	YES
技术	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	0.075 µs
接通时间	0.04 µs

文档解析

MIC426/427/428 提供全面的技术概述作为双通道低侧MOSFET驱动器，采用Bipolar/CMOS/DMOS工艺，覆盖广泛的操作条件。关键特性包括高速开关（30ns for 1000pF）、高输出电流1.5A、输出电压摆幅 within 25mV of supply、低输入电流1μA和TTL/CMOS输入兼容。工作电压范围4.5V to 18V，单电源操作，静态电流0.4mA to 8mA，输出阻抗6Ω typ。开关时间参数包括延迟17ns to 40ns，确保精确控制。器件有反相（MIC426）、非反相（MIC427）和混合配置（MIC428），引脚兼容DS0026，适用于多种场景如功率驱动、线路驱动和转换器构建。应用包括工业控制、航空航天和汽车系统，其中宽温度范围-55°C to 125°C和军用级版本支持高可靠性需求。电气参数详细：逻辑高输入最小2.4V，低输入最大0.8V，电源电流最大12mA，封装有SOIC、PDIP、CerDIP和芯片形式，提供设计灵活性。

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MIC427CY相似产品对比

	MIC427CY	MIC428CY	5962-8850301PX	MIC426CY
描述	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS	IC 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, MOSFET Driver	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 1.5A, BICMOS
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	DIE, DIE OR CHIP	DIE, DIE OR CHIP	CERDIP-8	DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code	unknown	unknow	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	NO	NO	NO	NO
输入特性	STANDARD	STANDARD	STANDARD	STANDARD
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	X-XUUC-N6	X-XUUC-N6	R-GDIP-T8	X-XUUC-N6
功能数量	2	2	2	2
端子数量	6	6	8	6
最高工作温度	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C
输出特性	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
输出极性	TRUE	TRUE AND INVERTED	INVERTED	INVERTED
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, GLASS-SEALED	UNSPECIFIED
封装代码	DIE	DIE	DIP	DIE
封装形状	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	RECTANGULAR	UNSPECIFIED
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	IN-LINE	UNCASED CHIP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	8 mA	8 mA	12 mA	8 mA
最大供电电压	18 V	18 V	18 V	18 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压	5 V	5 V	18 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	DUAL	UPPER
断开时间	0.075 µs	0.075 µs	0.06 µs	0.04 µs
接通时间	0.04 µs	0.075 µs	0.12 µs	0.075 µs
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
封装等效代码	DIE OR CHIP	DIE OR CHIP	-	DIE OR CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	-	240
电源	4.5/18 V	4.5/18 V	-	4.5/18 V
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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