IC eeprom 512kbit 400khz 8soic
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 10100DDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 2/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| AT24C512N-10SI-1.8 | AT24C512-10UJ-1.8 | AT24C512-10UJ-2.7 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC eeprom 512kbit 400khz 8soic | EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PBGA8, 0.75 MM PITCH, DBGA-8 | EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PBGA8, 0.75 MM PITCH, DBGA-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | SOIC | BGA | BGA |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | VFBGA, | VFBGA, |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz | 0.1 MHz | 0.4 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PBGA-B8 | R-PBGA-B8 |
| JESD-609代码 | e0 | e1 | e1 |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | VFBGA | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 0.96 mm | 0.96 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | GULL WING | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 | 40 |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms | 20 ms | 10 ms |
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