2SC2713-GR(TE85L,F,2SC2713-GR(TE85L,F pdf中文资料,2SC2713-GR(TE85L,F引脚图,2SC2713-GR(TE85L,F电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC2713-GR(TE85L,F

2SC2713-GR(TE85L,F: 产品描述Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小267KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SC2713-GR(TE85L,F概述

Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R

2SC2713-GR(TE85L,F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
Factory Lead Time	16 weeks
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	0.15 W
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

2SC2713-GR(TE85L,F相似产品对比

	2SC2713-GR(TE85L,F	2SC2713BLTE85R	2SC2713BLTE85L	2SC2713GRTE85L	2SC2713GRTE85R	2SC2713G	2SC2713TE85L	2SC2713TE85R	2SC2713L
描述	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	-	LOW NOISE	LOW NOISE	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	-
集电极-发射极最大电压	120 V	120 V	120 V	120 V	120 V	-	120 V	120 V	-
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-
最小直流电流增益 (hFE)	200	350	350	200	200	-	200	200	-
元件数量	1	1	1	1	1	-	1	1	-
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	-	NPN	NPN	-
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	-
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	-	100 MHz	100 MHz	-
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V	-	0.3 V	0.3 V	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
JEDEC-95代码	-	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	-	TO-236	TO-236	-
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified

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