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5962-8606305YA

产品描述UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小329KB，共13页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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5962-8606305YA概述

UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

5962-8606305YA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明WQCCN, LCC32,.45X.55
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码WQCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压12.5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度3.556 mm
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

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5962-8606305YA相似产品对比

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描述 UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 32KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 250ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 32KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFJ DIP QFJ DIP DIP DIP DIP QFJ QFJ QFJ
包装说明 WQCCN, LCC32,.45X.55 WDIP, DIP28,.6 WQCCN, LCC32,.45X.55 WDIP, DIP28,.6 WDIP, DIP28,.6 WDIP, DIP28,.6 WDIP, DIP28,.6 WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55
针数 32 28 32 28 28 28 28 32 32 32
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 120 ns 90 ns 200 ns 150 ns 90 ns 250 ns 250 ns 200 ns 120 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-GDIP-T28 R-CQCC-N32 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 37.1475 mm 13.97 mm 37.1475 mm 37.1475 mm 37.1475 mm 37.1475 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 262144 bi 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 28 32 28 28 28 28 32 32 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 WQCCN WDIP WQCCN WDIP WDIP WDIP WDIP WQCCN WQCCN WQCCN
封装等效代码 LCC32,.45X.55 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, WINDOW IN-LINE, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V 12.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 3.556 mm 5.588 mm 3.556 mm 5.588 mm 5.588 mm 5.588 mm 5.588 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.05 mA 0.065 mA 0.07 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.07 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.065 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO NO NO NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD QUAD
宽度 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

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